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IPA80R900P7  与  R8006KNXC7G  区别

型号 IPA80R900P7 R8006KNXC7G
唯样编号 A-IPA80R900P7 A-R8006KNXC7G
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 52W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 26W(Tc) -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 500V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 650 pF @ 100 V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PG-TO220-3 TO-220FM
连续漏极电流Id 6A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 4mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ P7 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 900 毫欧 @ 3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800 V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 110µA -
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥31.3804
50+ :  ¥19.8952
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA80R900P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R900P7XKSA1_PG-TO220-3

暂无价格 0 当前型号
R8006KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

¥31.3804 

阶梯数 价格
1: ¥31.3804
50: ¥19.8952
50 对比
R8006KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

暂无价格 40 对比

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