IPAN60R210PFD7S 与 R6018VNXC7G 区别
| 型号 | IPAN60R210PFD7S | R6018VNXC7G |
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| 唯样编号 | A-IPAN60R210PFD7S | A3-R6018VNXC7G |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 240uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 4.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W (Tc) 类型：N沟道 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | TO-220FM |
| 连续漏极电流Id | - | 10A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 0.17Ω@15V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 61W |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 18 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IPAN60R210PFD7S | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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29 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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