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IPAW60R180P7SXKSA1  与  IPAW60R190CE  区别

型号 IPAW60R180P7SXKSA1 IPAW60R190CE
唯样编号 A-IPAW60R180P7SXKSA1 A-IPAW60R190CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 26W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
Rth - 3.7K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 400V -
RthJA max - 80.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220 FullPAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id - 26.7A
Ptot max - 34.0W
QG - 63.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.65
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 600V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 32.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 280uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAW60R180P7S_TO-220-3整包

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IPA60R180P7_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比

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