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IPB049N08N5ATMA1  与  AOB480L  区别

型号 IPB049N08N5ATMA1 AOB480L
唯样编号 A-IPB049N08N5ATMA1 A-AOB480L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 1.9W(Ta),333W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3770pF @ 40V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(D?Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 66uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15A(Ta),180A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 140nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 80V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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