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IPB100N08S207ATMA1  与  IRF1407STRLPBF  区别

型号 IPB100N08S207ATMA1 IRF1407STRLPBF
唯样编号 A-IPB100N08S207ATMA1 A-IRF1407STRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ@78A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.8 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),200W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB100N08S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404

¥19.4944 

阶梯数 价格
210: ¥19.4944
400: ¥16.5207
800: ¥15.1566
0 对比
IRF1407STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK7606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7606-75B_SOT404

¥29.7875 

阶梯数 价格
180: ¥29.7875
400: ¥23.2715
800: ¥19.075
0 对比
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
AUIRF3808 Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.66mm

暂无价格 0 对比

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