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IPB80N06S2H5ATMA2  与  IPB100N06S205ATMA4  区别

型号 IPB80N06S2H5ATMA2 IPB100N06S205ATMA4
唯样编号 A-IPB80N06S2H5ATMA2 A-IPB100N06S205ATMA4
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) 300W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V 5110pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 230uA 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 155nC @ 10V 170nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 80A,10V 4.7 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 55V 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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