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IPD050N03LGATMA1  与  DMN3005LK3-13  区别

型号 IPD050N03LGATMA1 DMN3005LK3-13
唯样编号 A-IPD050N03LGATMA1 A-DMN3005LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.68W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V 4342 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 46.9 nC @ 4.5 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 14.5A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
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