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IPD30N06S215ATMA2  与  AUIRFR2405  区别

型号 IPD30N06S215ATMA2 AUIRFR2405
唯样编号 A-IPD30N06S215ATMA2 A-AUIRFR2405
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2405, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1485pF @ 25V -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 56A
长度 - 6.73mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14.7 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2430pF @ 25V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 110W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 80uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 55V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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