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IPD35N10S3L26ATMA1  与  IRFR2307ZPBF  区别

型号 IPD35N10S3L26ATMA1 IRFR2307ZPBF
唯样编号 A-IPD35N10S3L26ATMA1 A-IRFR2307ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) 110W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V 2190pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 39uA 4V @ 100uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 75nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 35A,10V 16 毫欧 @ 32A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) 42A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 100V 75V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
490: ¥10.5178
1,000: ¥8.1533
1,250: ¥6.683
2,500: ¥6.1312
0 对比
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