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IPD50N04S4L08ATMA1  与  AOD242  区别

型号 IPD50N04S4L08ATMA1 AOD242
唯样编号 A-IPD50N04S4L08ATMA1 A-AOD242
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
功率耗散(最大值) 46W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 8.2mΩ
Qgd(nC) - 2.3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 6
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 54A
Ciss(pF) - 1350
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 15.5
Td(off)(ns) - 23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 53.5W
Qrr(nC) - 31
VGS(th) - 2.3
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 17uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 405
Qg*(nC) - 8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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BUK9209-40B_SOT428

¥15.7021 

阶梯数 价格
400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比

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