IPD60R600PFD7S 与 R6009RND3TL1 区别
| 型号 | IPD60R600PFD7S | R6009RND3TL1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD60R600PFD7S | A-R6009RND3TL1 |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 600V 9A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 |
| 工作温度 | -40°C~150°C | - |
| 连续漏极电流Id | 6A | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@1.7A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD60R600PFD7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ@1.7A,10V ±20V TO-252-3 -40°C~150°C 6A 600V 31W N-Channel |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||
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R6009RND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||
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R6009RND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥12.3039
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96 | 对比 | ||||||
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R6009RND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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