IPD65R650CEAUMA1 与 IPD65R650CE 区别
| 型号 | IPD65R650CEAUMA1 | IPD65R650CE |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD65R650CEAUMA1 | A-IPD65R650CE |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 86W(Tc) | - |
| Rth | - | 2.0K/W |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 440pF @ 100V | - |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK (TO-252) |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | - | 7A |
| Ptot max | - | 63.0W |
| QG | - | 23.0nC |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 650 毫欧 @ 2.1A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | - | 650mΩ |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.45 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Moisture Level | - | 3 |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| Mounting | - | SMT |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 210uA | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 7A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD65R650CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥1.7556
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1,977 | 对比 | ||||||||
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IPD65R650CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650mΩ 650V 7A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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