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IPP60R099P6XKSA1  与  FCP104N60F  区别

型号 IPP60R099P6XKSA1 FCP104N60F
唯样编号 A-IPP60R099P6XKSA1 A-FCP104N60F
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 278W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 104m Ohms@18.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3330pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.21mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 37A
系列 - HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6130pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 14.5A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 145nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 37.9A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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