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IPW60R060C7XKSA1  与  IPP60R060C7  区别

型号 IPW60R060C7XKSA1 IPP60R060C7
唯样编号 A-IPW60R060C7XKSA1 A-IPP60R060C7
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 162W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ
Rth - 0.77K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2850pF @ 400V -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3V,4V
封装/外壳 TO-247-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 35A
Ptot max - 162.0W
QG - 68.0nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 3.28
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 600V
FET类型 N 通道 N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 800uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 35A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R060C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R060C7_TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPP60R060C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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