首页 > 商品目录 > > > > IPW60R070CFD7XKSA1代替型号比较

IPW60R070CFD7XKSA1  与  IPP60R070CFD7  区别

型号 IPW60R070CFD7XKSA1 IPP60R070CFD7
唯样编号 A-IPW60R070CFD7XKSA1 A3-IPP60R070CFD7
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 156W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 70mΩ
Ciss - 2721.0pF
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2721pF @ 400V -
Coss - 53.0 pF
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 3.5V,4.5V
Special Features - fast recovery diode
封装/外壳 TO-247-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 67nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 31A
QG (typ @10V) - 67.0 nC
Ptot max - 156.0W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 15.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 2.82
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 24.0nC
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 760uA -
RthJC max - 0.8 K/W
25°C时电流-连续漏极(Id) 31A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R070CFD7_TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 80,310 对比
STW40N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 1,800 对比
STW40N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
IPP60R070CFD7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPP60R070CFD7XKSA1_TO-220

暂无价格 0 对比
IPP60R070CFD7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPP60R070CFD7XKSA1_TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售