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IPW60R070P6XKSA1  与  AOK53S60  区别

型号 IPW60R070P6XKSA1 AOK53S60
唯样编号 A-IPW60R070P6XKSA1 A-AOK53S60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 3
功率耗散(最大值) 391W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 70mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 48
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 53A
Ciss(pF) - 3034
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 20.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 664
Td(off)(ns) - 215
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 520W
Qrr(nC) - 14000
VGS(th) - 3.8
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.72mA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 53.5A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
Coss(pF) - 222
Qg*(nC) - 59*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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