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IRF100B202  与  STP100N8F6  区别

型号 IRF100B202 STP100N8F6
唯样编号 A-IRF100B202 A3-STP100N8F6
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.6mΩ@58A,10V 8mΩ
上升时间 - 46ns
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 221W(Tc) 176W
Qg-栅极电荷 - 100nC
栅极电压Vgs ±20V 2V
典型关闭延迟时间 - 103ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 97A(Tc) 100A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - STP100N8F6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 21ns
典型接通延迟时间 - 33ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4476pF @ 50V 5955pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V 100nC @ 10V
库存与单价
库存 1,000 60,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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