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IRF1010EPBF  与  STP65NF06  区别

型号 IRF1010EPBF STP65NF06
唯样编号 A-IRF1010EPBF A3-STP65NF06
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@50A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 84A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
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PSMN3R0-60PS_SOT78

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阶梯数 价格
20: ¥20.2691
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0 对比

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