IRF1010ZPBF 与 STP100N6F7 区别
| 型号 | IRF1010ZPBF | STP100N6F7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1010ZPBF | A36-STP100N6F7 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@75A,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 94A | - | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF @ 25V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF @ 25V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,978 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1010ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@75A,10V N-Channel 55V 94A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
STP100N6F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 247,000 | 对比 | ||||||||
|
|
STP65NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 119,550 | 对比 | ||||||||
|
|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 95,900 | 对比 | ||||||||
|
|
STP100N6F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥3.168
|
1,978 | 对比 | ||||||||
|
|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.313
|
39 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
