IRF1310NPBF 与 STP30NF10 区别
| 型号 | IRF1310NPBF | STP30NF10 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1310NPBF | A36-STP30NF10 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 160W(Tc) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 42A | - | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 25V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 36mΩ@22A,10V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 325 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF1310NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@22A,10V N-Channel 100V 42A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STP30NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | ||||||
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STP30NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥3.18
|
325 | 对比 | ||||||
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STP30NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP30NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP40NF10L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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