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IRF1404PBF  与  DMNH4005SCT  区别

型号 IRF1404PBF DMNH4005SCT
唯样编号 A-IRF1404PBF A-DMNH4005SCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@121A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 333W(Tc) 165W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2846 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 48 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 202A 150A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5669pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 196nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5669pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 196nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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0 对比

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