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IRF1405STRLPBF  与  PSMN4R6-60BS,118  区别

型号 IRF1405STRLPBF PSMN4R6-60BS,118
唯样编号 A-IRF1405STRLPBF A-PSMN4R6-60BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC 200 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 211W
输出电容 - 567pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 131A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
输入电容 - 4426pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.4mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥11.4567
400+ :  ¥9.7091
800+ :  ¥8.9074
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1405STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

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