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IRF3205STRLPBF  与  IRF3205STRRPBF  区别

型号 IRF3205STRLPBF IRF3205STRRPBF
唯样编号 A-IRF3205STRLPBF A-IRF3205STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 55V, 110A, 8.0MOHM, D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 200W(Tc) 200W(Tc)
漏源极电压Vds 55V 55V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 110A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V 3247pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V 146nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V 3247pF @ 25V
导通电阻Rds(On) 8mΩ@62A,10V 8mΩ@62A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V 146nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.7178 

阶梯数 价格
7: ¥7.7178
100: ¥6.5436
949 对比
IRF3205STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8mΩ@10V 254W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
PHB191NQ06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V 300W 175°C 1.5V 55V 75A

¥16.624 

阶梯数 价格
800: ¥16.624
0 对比
BUK9608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 7.5mΩ@10V,8mΩ@5V,8.5mΩ@4.5V 253W 175°C 1.5V 55V 75A

暂无价格 0 对比

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