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IRF3205ZPBF  与  PHP191NQ06LT,127  区别

型号 IRF3205ZPBF PHP191NQ06LT,127
唯样编号 A-IRF3205ZPBF A-PHP191NQ06LT,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC 170 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 300W
输出电容 - 1045pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 110A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
输入电容 - 7665pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥17.5857
50+ :  ¥14.4145
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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