IRF3710ZPBF 与 IRF1310NPBF 区别
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规格信息
型号	IRF3710ZPBF	IRF1310NPBF
唯样编号	A-IRF3710ZPBF	A-IRF1310NPBF
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3	Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表	IRF3710ZPBF.pdf	IRF1310NPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ@35A,10V	36mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	160W(Tc)	160W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220AB	TO-220AB
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	59A	42A
系列	HEXFET®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2900pF @ 25V	1900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	120nC @ 10V	110nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2900pF @ 25V	1900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	120nC @ 10V	110nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRF3710ZPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB	暂无价格	0	当前型号
STP40NF10	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-220-3	暂无价格	4,850	对比
IRF3710PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A	暂无价格	1,000	对比
STP60NF10	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-220-3	暂无价格	0	对比
PSMN9R5-100PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A	暂无价格	0	对比
IRF1310NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@22A,10V N-Channel 100V 42A TO-220AB	暂无价格	0	对比