首页 > 商品目录 > > > > IRF5210PBF代替型号比较

IRF5210PBF  与  IRF5210  区别

型号 IRF5210PBF IRF5210
唯样编号 A-IRF5210PBF A-IRF5210
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@24A,10V 60mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 40A -40A
Ptot max - 200.0W
QG - 120.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.9
RthJC max - 0.75K/W
漏源极电压Vds 100V -100V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 P-Channel P-Channel
Qgd - 64.7nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF5210PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF5210 Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
SPP15P10P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP15P10PHXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售