IRF630NSTRLPBF 与 SIHF630STRL-GE3 区别
| 型号 | IRF630NSTRLPBF | SIHF630STRL-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF630NSTRLPBF | A3t-SIHF630STRL-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 74 W |
| 宽度 | - | 9.65mm |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | TO-263AB | 10.67*9.65*4.83mm |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 9.3A | 9 A |
| 长度 | - | 10.67mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 300mΩ@5.4A,10V | 400 m0hms |
| 高度 | - | 4.83mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 39 ns |
| 功率耗散Pd | 82W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 800 pF @ 25 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.4 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 82W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 300mΩ@5.4A,10V N-Channel 200V 9.3A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHF630STL-E3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
SIHF630STRL-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
