IRF7303TRPBF 与 DMG4822SSD-13 区别
| 型号 | IRF7303TRPBF | DMG4822SSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7303TRPBF | A36-DMG4822SSD-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@2.4A,10V | 20mΩ |
| 上升时间 | - | 7.9ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.42W |
| Qg-栅极电荷 | - | 10.5nC |
| 栅极电压Vgs | - | 25V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 14.6ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 200mS |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 4.9A | 10A |
| 系列 | HEXFET® | DMG4822 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 下降时间 | - | 3.1ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 2.9ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 520pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 7 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||||
|
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0582
|
1,263 | 对比 | ||||||
|
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
暂无价格 | 7 | 对比 | ||||||
|
|
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
AO4862 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 1.7W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.8A 2N-Channel 40 mOhms @ 5A,10V 2.3W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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