IRF7306PBF 与 SI4925DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7306PBF | SI4925DDY-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7306PBF | A36-SI4925DDY-T1-GE3-1 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@1.8A,10V | 29mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 3V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 5W | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 7.3A | ||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1350pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 687 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7306PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100mΩ@1.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.409
|
4,239 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
￥2.0051
|
687 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
