IRF7313PBF 与 SI4214DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7313PBF | SI4214DDY-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A-IRF7313PBF | A36-SI4214DDY-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 6.5A | 8.5A | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ@5.8A,10V | 19.5 mOhms @ 8A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V | - | ||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 642 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRF7313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.969
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642 | 对比 |
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