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IRF7319TRPBF  与  DMC3032LSD-13  区别

型号 IRF7319TRPBF DMC3032LSD-13
唯样编号 A-IRF7319TRPBF A-DMC3032LSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Double HexFet -30/30 V 2 W 33/34 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 32mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 404.5pF @ 15V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A,4.9A 8.1A,7A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7319TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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