IRF7328TRPBF 与 FDS4935BZ 区别
| 型号 | IRF7328TRPBF | FDS4935BZ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7328TRPBF | A-FDS4935BZ |
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@8A,10V | 22m Ohms@6.9A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 900mW |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8A | 6.9A |
| 系列 | HEXFET® | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2675pF @ 25V | 1360pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | 40nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2675pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 21mΩ@8A,10V 2W P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 |
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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