IRF7329PBF 与 SI9933CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7329PBF | SI9933CDY-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7329PBF | A36-SI9933CDY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 12 V 2 W 38 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@9.2A,4.5V | 58mΩ@4.8A,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | 2P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -50°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.2A | 4A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3450pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 57nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3450pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 57nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,239 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7329PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9.2A,4.5V 2W P-Channel 12V 9.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥2.409
|
4,239 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
