IRF7410TRPBF 与 IRF7420TRPBF 区别
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规格信息
型号	IRF7410TRPBF	IRF7420TRPBF
唯样编号	A-IRF7410TRPBF	A-IRF7420TRPBF
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8	IRF7420PbF Series 12 V 14 mOhm P-Channel HEXFET Power MOSFET - SOIC-8
数据表	IRF7410TRPBF.pdf	IRF7420TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	7mΩ@16A,4.5V	14mΩ@11.5A,4.5V
漏源极电压Vds	20V	20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±8V	±8V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V	-
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	8-SO	8-SO
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	16A	11.5A
系列	HEXFET®	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	900mV @ 250µA	900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8676pF @ 10V	3529pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	91nC @ 4.5V	38nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	900mV @ 250µA	900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8676pF @ 10V	3529pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	91nC @ 4.5V	38nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF7410TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7mΩ@16A,4.5V P-Channel 20V 16A 8-SO	暂无价格	当前型号
IRF7420TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14mΩ@11.5A,4.5V P-Channel 20V 11.5A 8-SO	暂无价格	对比
IRF7410PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	7mΩ@16A,4.5V ±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 20V 16A	暂无价格	对比
DMP2022LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel	暂无价格	对比
DMP2022LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel	暂无价格	对比
IRF7410GTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	P-Channel 12V 16A(Ta) ±8V 2.5W(Ta) 7mΩ@16A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8	暂无价格	对比