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IRF7424TRPBF  与  DMP2022LSS-13  区别

型号 IRF7424TRPBF DMP2022LSS-13
唯样编号 A-IRF7424TRPBF A36-DMP2022LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 22 mOhm 110 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@11A,10V 13mΩ@10A,10V
上升时间 - 9.9ns
Qg-栅极电荷 - 56.9nC
栅极电压Vgs ±20V ±12V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-SO SOP-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 10A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,10V
下降时间 - 76.5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V -
高度 - 1.50mm
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 108ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® DMP2022
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V 2444pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 56.9nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 7.5ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 4,145
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.65
100+ :  ¥1.265
1,250+ :  ¥1.111
2,500+ :  ¥1.045
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 14mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.1
1,250: ¥0.9559
2,500: ¥0.902
5,000 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
4,145 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.45W(Ta) 11mΩ@12A,20V -50°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 9.9A

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,356 对比
AO4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -12A 3.1W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

暂无价格 0 对比

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