首页 > 商品目录 > > > > IRF7425TRPBF代替型号比较

IRF7425TRPBF  与  DMG4413LSS-13  区别

型号 IRF7425TRPBF DMG4413LSS-13
唯样编号 A-IRF7425TRPBF A3-DMG4413LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 2.5 W 130 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.7W
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.2mΩ@15A,4.5V 7.5mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A 12A
系列 HEXFET® DMG
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V 4965pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V 46nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 7,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7425TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 7,500 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售