IRF7469TRPBF 与 IRF7469PBF 区别
| 型号 | IRF7469TRPBF | IRF7469PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7469TRPBF | A-IRF7469PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 40 V 2.5 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@9A,10V | 17mΩ@9A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9A | 9A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 20V | 2000pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRF7469TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9A,10V N-Channel 40V 9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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IRF7469PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
17mΩ@9A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥25.5084
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1,599 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 |
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