IRF7530TRPBF 与 IRF7607TRPBF 区别
| 型号 | IRF7530TRPBF | IRF7607TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7530TRPBF | A-IRF7607TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 1.3 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@5.4A,4.5V | 30mΩ@6.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | 1.8W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Micro8™ | Micro8™ |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.4A | 6.5A |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | 1310pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 4.5V | 22nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | 1310pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 4.5V | 22nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7530TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 30mΩ@5.4A,4.5V 1.3W N-Channel 20V 5.4A Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7607TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF7601TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 35mΩ@3.8A,4.5V N-Channel 20V 5.7A Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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