IRF7832TRPBF 与 DMN3007LSS-13 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	IRF7832TRPBF	DMN3007LSS-13
唯样编号	A-IRF7832TRPBF	A-DMN3007LSS-13
制造商	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8	Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表	IRF7832TRPBF.pdf	DMN3007LSS-13.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	4mΩ@20A,10V	7mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SO	SOP
工作温度	-55°C~155°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	20A	16A
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.32V @ 250µA	2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4310pF @ 15V	2714pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	51nC @ 4.5V	64.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.32V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4310pF @ 15V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	51nC @ 4.5V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF7832TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO	暂无价格	当前型号
AO4430	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V	暂无价格	对比
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A	暂无价格	对比
AO4430	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V	暂无价格	对比
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 7mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A	暂无价格	对比
IRF3717TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.4mΩ@20A,10V N-Channel 20V 20A 8-SO	暂无价格	对比