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IRF7842TRPBF  与  DMN3007LSS-13  区别

型号 IRF7842TRPBF DMN3007LSS-13
唯样编号 A-IRF7842TRPBF A-DMN3007LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@17A,10V 7mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SOP
连续漏极电流Id 18A(Ta) 16A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 20V 2714pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V 64.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比

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