首页 > 商品目录 > > > > IRF7855TRPBF代替型号比较

IRF7855TRPBF  与  AO4264E  区别

型号 IRF7855TRPBF AO4264E
唯样编号 A-IRF7855TRPBF A-AO4264E
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 28
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.4mΩ@12A,10V 9.8mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 13.5mΩ
Qgd(nC) - 3.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 8.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A 13.5A
Ciss(pF) - 1100
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 18.5
Td(off)(ns) - 50
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 59
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC -
Coss(pF) - 300
Qg*(nC) - 7
库存与单价
库存 0 818
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥4.4748
100+ :  ¥3.4493
1,000+ :  ¥2.7142
1,500+ :  ¥2.1226
3,000+ :  ¥1.6557
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥4.4748 

阶梯数 价格
1: ¥4.4748
100: ¥3.4493
1,000: ¥2.7142
1,500: ¥2.1226
3,000: ¥1.6557
818 对比
IRF7478TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售