首页 > 商品目录 > > > > IRF830PBF代替型号比较

IRF830PBF  与  SPP04N50C3  区别

型号 IRF830PBF SPP04N50C3
唯样编号 A-IRF830PBF A-SPP04N50C3
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 1.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.5Ω 950mΩ
上升时间 16ns 5ns
Qg-栅极电荷 38nC -
栅极电压Vgs 2V 20V
正向跨导 - 最小值 2.5S -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4.5A 4.5A
配置 Single Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 16ns 10ns
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 74W 50W
典型关闭延迟时间 42ns 70ns
FET类型 - N-Channel
系列 IRF CoolMOSC3
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 610pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
典型接通延迟时间 8.2ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF830PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP5NK52ZD STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100,000 对比
STP5NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,000 对比
STP5NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
STP5NK52ZD STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
SPP04N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP04N50C3HKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售