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IRF9388TRPBF  与  IRF9328TRPBF  区别

型号 IRF9388TRPBF IRF9328TRPBF
唯样编号 A-IRF9388TRPBF A-IRF9328TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 2.5 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@12A,20V 11.9mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 12A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V 1680pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V 52nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V,20V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V 1680pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V 52nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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