首页 > 商品目录 > > > > IRFB3006GPBF代替型号比较

IRFB3006GPBF  与  IRFB3006PBF  区别

型号 IRFB3006GPBF IRFB3006PBF
唯样编号 A-IRFB3006GPBF A-IRFB3006PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V 2.5mΩ@170A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 270A 270A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V 8970pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V 300nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V 8970pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V 300nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3006GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFB3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
AOT260L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售