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IRFB3006PBF  与  IRF1324PBF  区别

型号 IRFB3006PBF IRF1324PBF
唯样编号 A-IRFB3006PBF A-IRF1324PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V 2mΩ
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 300W
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 270A 353A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
典型接通延迟时间 - 17 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V 7590pF @ 24V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V 240nC @ 10V
典型关断延迟时间 - 83 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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