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IRFB3206PBF  与  AOT262L  区别

型号 IRFB3206PBF AOT262L
唯样编号 A-IRFB3206PBF A-AOT262L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 32
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.2mΩ
Qg-栅极电荷 120nC -
Qgd(nC) - 5
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 27
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 210A 140A
Ciss(pF) - 8140
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
Schottky Diode - No
高度 15.65mm -
Trr(ns) - 30
Td(off)(ns) - 47
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W 333W
Qrr(nC) - 185
VGS(th) - 3.2
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
Coss(pF) - 1040
Qg*(nC) - 95*
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

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STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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