IRFB3207PBF 与 PSMN4R2-60PLQ 区别
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规格信息
型号	IRFB3207PBF	PSMN4R2-60PLQ
唯样编号	A-IRFB3207PBF	A-PSMN4R2-60PLQ
制造商	Infineon Technologies	Nexperia
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC 300 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
数据表	IRFB3207PBF.pdf IRFB3207PBF.pdf	PSMN4R2-60PL.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5mΩ@75A,10V	-
漏源极电压Vds	75V	60V
Pd-功率耗散(Max)	330W(Tc)	263W
输出电容	-	703pF
栅极电压Vgs	±20V	1.7V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220AB	SOT78
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	175°C
连续漏极电流Id	170A	130A
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7600pF @ 50V	-
输入电容	-	8533pF
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	260nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	-
Rds On(max)@Id,Vgs	-	3.9mΩ@10V,4.3mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7600pF @ 50V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	260nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRFB3207PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 75V 170A TO-220AB	暂无价格	0	当前型号
STP140NF75	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A	暂无价格	5,400	对比
STP140NF75	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A	暂无价格	0	对比
STP140NF75	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A	暂无价格	0	对比
PSMN005-75P,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A	暂无价格	0	对比
PSMN4R2-60PLQ	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 263W 175°C 1.7V 60V 130A	暂无价格	0	对比