IRFB3307PBF 与 AOT472 区别
| 型号 | IRFB3307PBF | AOT472 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB3307PBF | A-AOT472 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.3mΩ@75A,10V | 8.9mΩ@30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 75V | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | 417W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO220 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 10A(Ta),140A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | AOT |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | 3.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | 4500pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | 115nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | 3.9V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | 4500pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | 115nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3307PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A |
暂无价格 | 5,400 | 对比 |
|
AOT472 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 75V 10A(Ta),140A(Tc) 8.9mΩ@30A,10V TO220 417W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STP160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK9608-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 203W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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