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IRFB3307ZPBF  与  STP140NF75  区别

型号 IRFB3307ZPBF STP140NF75
唯样编号 A-IRFB3307ZPBF A36-STP140NF75
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Qg-栅极电荷 79nC -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs 20V ±20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF -
导通电阻Rds(On) 4.6mΩ 7.5mΩ@70A,10V
高度 15.65mm -
功率耗散Pd 230W 310W(Tc)
漏源极电压Vds 75V 75V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® STripFET™ III
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V 5000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 218nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥10.044
100+ :  ¥8.52
1,000+ :  ¥8.22
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 120A 4.6mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 243,600 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 3,000 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.056 

阶梯数 价格
20: ¥4.056
100: ¥3.252
1,000: ¥3.108
2,127 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

¥10.044 

阶梯数 价格
5: ¥10.044
100: ¥8.52
1,000: ¥8.22
1,000 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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