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IRFB3607PBF  与  AOT470  区别

型号 IRFB3607PBF AOT470
唯样编号 A-IRFB3607PBF A-AOT470
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V 10.5mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 268W
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 80A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 1,000 6,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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